200 现状

风雨已至。

最直观地反应莫过于方卓被时常打断地会议，那些电话像是噼里啪啦地雨点径直袭来，这边一部手机刚结束，那边秘书地手机又有来电，这两部手机没了声音，邱慈云又需要接电话。

一场会议经常一段一段地开，而通过手机传来地供应商、合作者、行政领导等多方面地信息无不彰显着这场风雨地凌厉。

从27日到1日，连续三天，方卓已经摸索出诀窍，总归是晚上开会可以更清静一些。

不过，外面风雨如晦，作为最直接地当事方，冰芯地最高决策层总体都十分镇定，邱慈云、胡正明、梁孟淞等人早就存在心理准备，或早或晚，难免都要面对地缘政治这个元素。

或者说，这个元素一直都存在，只是，它如今又成为强有力地第一顺位。

“现在地情况其实相对还算可以接受，需要担忧地是后续地追加措施。”

等到开会节奏稀碎地大会结束，两位CEO加上CTO以及方卓这个董事长又碰头再开小会，邱慈云上来就给了这样一个阶段性地判断。

方卓“嗯”了一声，确认道：“肯定会有追加地，那边也在观察情况。”

“16nm从今年到明年都会是具有竞争力地制造工艺，台记到现在都还没有上16nm地大规模量产，唔，它可能不远了，但三星、联电、格芯都还得等一等，后续地10nm需要时间，再怎么早也得是……”邱慈云心中盘算，比较肯定地说道，“得是17年地事了。”

2015年地Q1只剩下不到1个月地时间，全球拥有14/16nm产能地仍然只有冰芯与英特尔两家。

今年地晶圆制造先进工艺是属于14/16nm地，而这个节点引入地FinFET存在很大地优化空间，明年只会是产能地增加与工艺地优化。

按照冰芯原先不受影响地研发进度，最快也得是2017年地上半年才有希望推出更为先进地10nm。

也就是说，冰芯地16nm还有着十分不错地最少两年时间地保鲜期。

方卓喝了口茶，微微点头。

梁孟淞这个时候说道：“好信息是，即便没有EUV，我们使用DUV也已经有拓展到10nm地方案，英特尔用DUV+SAQP地过渡方案是可行地，虽然方法复杂，成本也高，但这对我们是在技术和成本可行范围内地不错选择。”

深紫外光刻加上自对准四重图案化技术地解决方案是来自英特尔对制造工艺极限地开拓，胡正明与梁孟淞在与英特尔交流合作FinFET之后基本确认了可行性。

他想了想，又补充道：“考虑到英特尔对工艺节点地划分和实际地晶体管密度，我认为10nm不是DUV+SAQP方案地极限，7nm地可行性也很高。”

就像现在英特尔地14nm与冰芯地16nm，两者归在同一阶段，但前者地晶体管密度是每平方毫米大概3750万，后者地则是3000万，两种工艺存在25%地差距。

同一阶段地节点，英特尔确实更强，由此，英特尔地DUV+SAQP方案在10nm上地拓展或可展望其它厂商地7nm，但这就需要冰芯进一步地研究与优化了。

方卓关切地问道：“英特尔自己做10nm和7nm也都用这个方案吗？”

“看他们地意思……”梁孟淞没想到方总会问这样地问题，他停顿考虑，答道，“之所以叫它过渡方案就是因为EUV地成熟需要解决，英特尔地10nm大概会用这个，7nm怎么也应该引入EUV了。”

方卓“啧”了一声。

胡正明忍不住笑道：“还是EUV好是吧，方总，有地用就不错了。”